Category Archives: Оперативная память
Память Samsung DDR 400 DIMM 512Mb
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR
- Форм-фактор
- DIMM 184-контактный
- Тактовая частота
- 400 МГц
- Пропускная способность
- 3200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 512 Мб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Память TwinMOS 256MB 184-Pin DDR SDRAM DDR 400 (PC 3200) System Memory Model M2G9I08A-MK
Память Kingston KVR400X64C3A/1G
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR
- Форм-фактор
- DIMM 184-контактный
- Тактовая частота
- 400 МГц
- Пропускная способность
- 3200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 1 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 3
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 3
- Row Precharge Delay (tRP)
- 3
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 16, двустор��нняя упаковка
- Напряжение питания
- 2.6 В
- Дополнительная информация
- Позолоченные контакты.
Память hy57v56820bt-h 256MB PC133
Память A-DATA MEMORY EXPERT M20AD5G3H3160L1C59 DDR2 667(6) 512MX8 S/N: 713NN (ADQPE1908)
Память BP ML E186014 B62URCD 1.00
Unknown noname.
Память Apacer DDRAM2 512MB PC800 CL5 78.91G9I.9HC
Apacer DDRAM2 512MB PC800 CL5. Internal memory: 0.5 GB, Internal memory type: DDR2, Memory clock speed: 800 MHz
Память Samsung DDR2 533 DIMM 512Mb
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR2
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 533 МГц
- Пропускная способность
- 4200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 512 Мб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.8 В
Память Kingmax DDR 400 DIMM 256 Mb
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR
- Форм-фактор
- DIMM 184-контактный
- Тактовая частота
- 400 МГц
- Пропускная способность
- 3200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 256 Мб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Дополнительно
- Напряжение питания
- 2.5 В