Память Kingston KVR400X64C3A/1G

DSCN1819 DSCN1821

Общие характеристики

Тип памяти
DDR 
Форм-фактор
DIMM 184-контактный 
Тактовая частота
400 МГц 
Пропускная способность
3200 Мб/с 
Объем
1 модуль 1 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
3 
RAS to CAS Delay (tRCD)
3 
Row Precharge Delay (tRP)
3 

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двустор��нняя упаковка 
Напряжение питания
2.6 В 
Дополнительная информация
Позолоченные контакты. 

Память Samsung DDR2 533 DIMM 512Mb

DSCN1758 DSCN1759

Общие характеристики

Тип памяти
DDR2 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
533 МГц 
Пропускная способность
4200 Мб/с 
Объем
1 модуль 512 Мб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Дополнительно

Напряжение питания
1.8 В 

Память Kingmax DDR 400 DIMM 256 Mb

DSCN1830 DSCN1831

Общие характеристики

Тип памяти
DDR 
Форм-фактор
DIMM 184-контактный 
Тактовая частота
400 МГц 
Пропускная способность
3200 Мб/с 
Объем
1 модуль 256 Мб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Дополнительно

Напряжение питания
2.5 В 

Память Kingston KVR800D2N5/1G

DSCN1767 DSCN1768

Общие характеристики

Тип памяти
DDR2 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
800 МГц 
Пропускная способность
6400 Мб/с 
Объем
1 модуль 1 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
5 

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка 
Напряжение питания
1.8 В