SAMSUNG 20 1GB 1Rx8 PC2-6400U-666-12-ZZ
Made in China M378T2863RZS-CF7 0842
Tag Archives: DDR2
Оперативная память NCP 1GB NCPT7AUDR-30M48 DDR2 RAM PC2-5300 666Mhz
Память A-DATA MEMORY EXPERT M20AD5G3H3160L1C59 DDR2 667(6) 512MX8 S/N: 713NN (ADQPE1908)
Память BP ML E186014 B62URCD 1.00
Память Apacer DDRAM2 512MB PC800 CL5 78.91G9I.9HC
Память Samsung DDR2 533 DIMM 512Mb
Память Kingston KVR800D2N5/1G
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR2
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 800 МГц
- Пропускная способность
- 6400 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 1 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 5
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.8 В
Память RAM ADATA DDR2 800 1GB M20AD6G3I4170Q1E58
Память Kingston KVR800D2N5/1G
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR2
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 800 МГц
- Пропускная способность
- 6400 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 1 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 5
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.8 В
Память Kingston KVR800D2N5/1G
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR2
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 800 МГц
- Пропускная способность
- 6400 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 1 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 5
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.8 В